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SI3879DV-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI3879DV-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ LITTLE FOOT®
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 2W (Ta), 3.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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