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SI3900DV-T1-E3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SI3900DV-T1-E3 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 830mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| ベース部材番号 | SI3900 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| サプライヤー装置パッケージ | 6-TSOP |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | - |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 2A |
在庫が 48734 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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