画像は参考までに、仕様書を参照してください

SI3911DV-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI3911DV-T1-E3
説明: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 830mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ベース部材番号 SI3911
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 6-TSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 1.8A

在庫が 85 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

SI3850ADV-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI3586DV-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI3585DV-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI1988DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0
SI1972DH-T1-E3
Vishay / Siliconix
$0