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SI4010DY-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI4010DY-T1-GE3
説明: MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max +20V, -16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TA)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 3.4mOhm @ 15A, 10V
電力放蕩(マックス) 6W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3595pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 31.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 60 pcs

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