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SI4100DY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI4100DY-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	63mOhm @ 4.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.5W (Ta), 6W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	600pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	6.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V