画像は参考までに、仕様書を参照してください

SI4116DY-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI4116DY-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 25V 18A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8.6mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 18A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 10V

在庫が 54 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

NVTFS010N10MCLTAG
ON Semiconductor
$0.55
STL45P3LLH6
STMicroelectronics
$0.5
STS6P3LLH6
STMicroelectronics
$0
FDMS8820
ON Semiconductor
$0
BUK6Y32-60PX
Nexperia USA Inc.
$0