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SI4276DY-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI4276DY-T1-GE3
説明: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 3.6W, 2.8W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 SI4276
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A

在庫が 76 pcs

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