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SI4427BDY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI4427BDY-T1-GE3
説明:	MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10.5mOhm @ 12.6A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.5W (Ta)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V