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SI4434DY-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI4434DY-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 155mOhm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.56W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 250V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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