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SI4590DY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI4590DY-T1-GE3
説明:	MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
fet特徴	-
部地位	Active
-マックス	2.4W, 3.4W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	57mOhm @ 2A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.4A, 2.8A