SI4599DY-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SI4599DY-T1-GE3 |
説明: | MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | N and P-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Active |
-マックス | 3W, 3.1W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ベース部材番号 | SI4599 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 35.5mOhm @ 5A, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | 8-SO |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 40V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 20V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 6.8A, 5.8A |
在庫が 24977 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1