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SI4752DY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI4752DY-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	SkyFET®, TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Schottky Diode (Body)
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 1mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス)	3W (Ta), 6.25W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	25A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V