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SI4866DY-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI4866DY-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	5.5mOhm @ 17A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.6W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V