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SI4922BDY-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI4922BDY-T1-E3
説明: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 3.1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 SI4922
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 16mOhm @ 5A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 62nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2070pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 8A

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