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SI4931DY-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI4931DY-T1-E3
説明: MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 SI4931
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 350µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 6.7A

在庫が 21357 pcs

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