SI4931DY-T1-E3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | SI4931DY-T1-E3 |
説明: | MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOICs |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | 2 P-Channel (Dual) |
包装 | Digi-Reel® |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Active |
-マックス | 1.1W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ベース部材番号 | SI4931 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V |
サプライヤー装置パッケージ | 8-SO |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 12V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | - |
現在25%で安全連続(id) @°c | 6.7A |
在庫が 21357 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1