画像は参考までに、仕様書を参照してください
SI4966DY-T1-E3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SI4966DY-T1-E3 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 2W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ベース部材番号 | SI4966 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SO |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | - |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | - |
在庫が 60 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
要求引用
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