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SI5402BDC-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI5402BDC-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	35mOhm @ 4.9A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.3W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V