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SI5402DC-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI5402DC-T1-E3
説明: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.3W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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