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SI5429DU-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI5429DU-T1-GE3
説明:	MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® ChipFET™ Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	15mOhm @ 7A, 10V
電力放蕩(マックス)	3.1W (Ta), 31W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® ChipFet Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2320pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V