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SI5511DC-T1-GE3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SI5511DC-T1-GE3 |
| 説明: | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| fet234タイプ | N and P-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 3.1W, 2.6W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SMD, Flat Lead |
| ベース部材番号 | SI5511 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 55mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| サプライヤー装置パッケージ | 1206-8 ChipFET™ |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 4A, 3.6A |
在庫が 87 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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