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SI5513DC-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI5513DC-T1-E3
説明: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 1.1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号 SI5513
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 3.1A, 2.1A

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