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SI5515CDC-T1-E3
| メーカー: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | SI5515CDC-T1-E3 |
| 説明: | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | TrenchFET® |
| fet234タイプ | N and P-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 3.1W |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 36mOhm @ 6A, 4.5V |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 11.3nC @ 5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 632pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 4A (Tc) |
在庫が 3000 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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