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SI5515CDC-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI5515CDC-T1-GE3
説明: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 3.1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号 SI5515
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 36mOhm @ 6A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 632pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A

在庫が 270 pcs

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