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SI5853DDC-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI5853DDC-T1-E3
説明: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ LITTLE FOOT®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 105mOhm @ 2.9A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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