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SI5905BDC-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI5905BDC-T1-GE3
説明: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 3.1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SMD, Flat Lead
ベース部材番号 SI5905
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 1206-8 ChipFET™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c 4A

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