SI6473DQ-T1-E3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SI6473DQ-T1-E3 |
説明: | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | TrenchFET® |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 1.08W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | 8-TSSOP |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 6.2A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
在庫が 94 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1