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SI6562DQ-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI6562DQ-T1-E3
説明:	MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Obsolete
-マックス	1W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
ベース部材番号	SI6562
Vgs(th) (Max) @ Id	600mV @ 250µA (Min)
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	30mOhm @ 4.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	8-TSSOP
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	-