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SI7102DN-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI7102DN-T1-E3
説明:	MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.8mOhm @ 15A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	3720pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c	35A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V