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SI7119DN-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI7119DN-T1-E3
説明: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -50°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.05Ohm @ 1A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 666pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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