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SI7190DP-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI7190DP-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	118mOhm @ 4.4A, 10V
電力放蕩(マックス)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	72nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	250V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2214pF @ 125V
現在25%で安全連続(id) @°c	18.4A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	6V, 10V