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SI7457DP-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI7457DP-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 42mOhm @ 7.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 28A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

在庫が 60 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最小: 1

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