SI7726DN-T1-GE3
メーカー: | Vishay / Siliconix |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | SI7726DN-T1-GE3 |
説明: | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Vishay / Siliconix |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | SkyFET®, TrenchFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | PowerPAK® 1212-8 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
作動温度 | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 35A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 86 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.36 | $0.35 | $0.35 |
最小: 1