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SI7882DP-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI7882DP-T1-GE3
説明: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.9W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 13A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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