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SI7900AEDN-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7900AEDN-T1-E3
説明: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® 1212-8 Dual
ベース部材番号 SI7900
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 6A

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