Image is for reference only , details as Specifications

SI7900AEDN-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI7900AEDN-T1-GE3
説明:	MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	1.5W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® 1212-8 Dual
ベース部材番号	SI7900
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	26mOhm @ 8.5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® 1212-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	6A