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SI7960DP-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI7960DP-T1-GE3
説明:	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Obsolete
-マックス	1.4W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号	SI7960
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	21mOhm @ 9.7A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	6.2A