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SI7962DP-T1-E3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7962DP-T1-E3
説明: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 1.4W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号 SI7962
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 17mOhm @ 11.1A, 10V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 40V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 7.1A

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