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SI7983DP-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI7983DP-T1-GE3
説明: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 P-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 1.4W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SO-8 Dual
ベース部材番号 SI7983
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 600µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 17mOhm @ 12A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SO-8 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 7.7A

在庫が 55 pcs

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