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SI8409DB-T1-E1

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI8409DB-T1-E1
説明: MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±12V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 46mOhm @ 1A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.47W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 4-Microfoot
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 2.5V, 4.5V

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