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SI8445DB-T2-E1

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI8445DB-T2-E1
説明:	MOSFET P-CH 20V 9.8A MICROFOOT
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±5V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	84mOhm @ 1A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.8W (Ta), 11.4W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	4-Microfoot
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	9.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.2V, 4.5V