Image is for reference only , details as Specifications

SI8465DB-T2-E1

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SI8465DB-T2-E1
説明:	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±12V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Discontinued at Digi-Key
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	4-XFBGA, CSPBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	104mOhm @ 1.5A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	780mW (Ta), 1.8W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	4-Microfoot
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	-
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	2.5V, 4.5V