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SI8900EDB-T2-E1

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SI8900EDB-T2-E1
説明: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 10-UFBGA, CSPBGA
ベース部材番号 SI8900
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1.1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs -
サプライヤー装置パッケージ 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs -
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c 5.4A

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