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SI8902AEDB-T2-E1

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SI8902AEDB-T2-E1
説明:	N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Standard
部地位	Active
-マックス	5.7W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-UFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	28mOhm @ 1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	6-Micro Foot™ (1.5x1)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	-
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	24V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	11A