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SI9435BDY-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: SI9435BDY-T1-GE3
説明: MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V
電力放蕩(マックス) 1.3W (Ta)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 165 pcs

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