Image is for reference only , details as Specifications

SIA414DJ-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIA414DJ-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±5V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	11mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Single
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	8V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 4V
現在25%で安全連続(id) @°c	12A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.2V, 4.5V