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SIA777EDJ-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	SIA777EDJ-T1-GE3
説明:	MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N and P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	5W, 7.8W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	225mOhm @ 1.6A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	2.2nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V, 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	-
現在25%で安全連続(id) @°c	1.5A, 4.5A