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SIA778DJ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIA778DJ-T1-GE3
説明: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 6.5W, 5W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-70-6 Dual
ベース部材番号 SIA778
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V, 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.5A, 1.5A

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