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SIA850DJ-T1-GE3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIA850DJ-T1-GE3
説明:	MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	LITTLE FOOT®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±16V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Schottky Diode (Isolated)
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.9W (Ta), 7W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	190V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	950mA (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V