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SIA910EDJ-T1-GE3

メーカー: Vishay / Siliconix
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: SIA910EDJ-T1-GE3
説明: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Siliconix
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ TrenchFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 7.8W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 PowerPAK® SC-70-6 Dual
ベース部材番号 SIA910E
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ PowerPAK® SC-70-6 Dual
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 8V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 455pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 4.5A

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