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SIB412DK-T1-E3

メーカー:	Vishay / Siliconix
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	SIB412DK-T1-E3
説明:	MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Vishay / Siliconix
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	TrenchFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	PowerPAK® SC-75-6L
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	34mOhm @ 6.6A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PowerPAK® SC-75-6L Single
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	10.16nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	535pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	9A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V